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【新竹訊】力旺電子展現積極佈局多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術之企圖心，繼成功推出領先業界之NeoFlash以及NeoEE技術後，今日發表全新之NeoMTP技術，預計將為嵌入式非揮發性記憶體技術領域開創新局，並在相關產品應用市場引起高度關注。NeoMTP技術目前已在亞洲地區多家國際級晶圓代工廠之0.18微米、0.13微米與80奈米等邏輯或高電壓製程通過元件技術驗證，預計將於明年度上半年進入量產，後續發展可期。

力旺電子秉持精益求精的理念，根基在全球16個專業晶圓代工廠以及超過200個以上製程的成熟NeoBit元件技術平台，推出可以電性抹除的記憶元件-NeoMTP技術。NeoMTP自NeoBit技術衍生而來，合作之代工廠得以延用NeoBit技術之製程平台，而在短時間內提供MTP的元件與矽智財給客戶使用。NeoMTP不僅保有NeoBit技術之各項優勢，與邏輯製程完全相容，毋須修改元件模型(SPICE model)，更進一步具備低功率消耗之特性，符合觸控面板晶片、微控制器晶片與電池容量偵測晶片等應用領域對於中低次數寫入之儲存需求。在晶片線路設計應用上，NeoMTP提供程式碼儲存(code storage)、功能選取(function selection)、特性微調(tuning)與加解密碼儲存(encryption)等設計解決方案，進而提高未來新型電子產品設計上之多元性，並強化客戶產品的競爭力。在既有NeoBit、NeoFlash與NeoEE技術之基礎下，力旺電子此次推出全新之NeoMTP技術，更展現在嵌入式非揮發性記憶體技術完整佈局之旺盛企圖心。

力旺電子新技術NeoMTP之規格具有高度競爭優勢，能提供多達1,000次以上的擦寫能力以及高達一百萬位元 (1M bits)之容量。相較於傳統多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術，其往往需要以配合修改製程之方式才能達到多次寫入之目的，NeoMTP則克服此項技術限制，大幅減少了代工廠將技術導入於製程平台之時間，更節省應用端晶片設計之費用，能為客戶提供兼具技術優勢與成本效益之多次可程式嵌入式非揮發性記憶體解決方案。另外，NeoMTP持續採用P-型元件結構，並搭配與NeoBit相同之熱電子寫入機制與穩定之高電壓Fowler-Nordheim tunneling抹除機制，可以提供穩定且可靠的元件與矽智財特性，將可以改變近年來業界對它類MTP矽智財良率不佳且可靠度不穩的不良印象。

力旺電子總經理沈士傑表示：「市場需要更多樣化的嵌入式非揮發性記憶體技術以因應產品應用之快速演進，力旺電子持續投注創新研發能量，並持續關注非揮發性記憶體矽智財的品質與可取得性，藉由不斷創新與突破技術限制，擴充多元矽智財產品線，跨足各項應用領域。力旺電子以建構業界最多元廣泛之嵌入式非揮發性記憶體技術與解決方案供應平台自我期許，並追求與代工廠、客戶三贏之長期穩定成長。」

以全方位的技術支援服務與廣受晶圓廠認可的高度品質，力旺電子將為客戶提供佈局最完整的嵌入式非揮發性記憶體矽智財導入服務。現階段力旺電子已擁有國內外專利300件，內嵌力旺電子矽智財之量產晶圓片數已超過450萬片，受惠智慧型手機與平板電腦等行動通訊與熱門應用產品陸續登場帶動下，對營運貢獻將持續發酵。