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【新竹訊】嵌入式非揮發性記憶體領導廠商力旺電子今日宣布，正式推出全新反熔絲架構之嵌入式非揮發性記憶體技術NeoFuse，此技術瞄準先進製程平台，具備矽智財元件尺寸小與資料保存能力佳等特點，可滿足客戶產品在先進製程產品之進階需求。目前NeoFuse技術已在多家國際級晶圓代工廠之65奈米、55奈米、40奈米與28奈米等低功耗與高壓先進製程通過元件技術驗證，預計將於今年Q3通過可靠度驗證並在Q4進入量產。延續在NeoBit技術開發的成功經驗，NeoFuse技術的推出意味著力旺電子已將其單次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術的布局版圖從成熟製程進一步推展至先進製程。

NeoFuse為全新反熔絲(antifuse)架構之單次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術，利用編程過程中的阻抗改變(impedance change)實現資料儲存功能，並藉由週邊電路的巧妙設計使NeoFuse IP具備低功耗、高可靠度與安全保密等特色。NeoFuse技術的特殊元件架構有效地降低製程變異的影響，使得各記憶體位元的一致性大幅提高。相較於代工廠所提供的傳統eFuse，NeoFuse技術提供更小的元件與矽智財線路尺寸，無需以大電流熔燒，且在資料寫入後不會留下熔燒的痕跡，此外耐高溫及資料留存能力高，故特別適合面積小、高儲存容量之應用，如機上盒(STB)、數位電視(DTV)與影像感測晶片(CIS ICs)等應用領域。

力旺電子之NeoFuse技術與標準CMOS製程完全相容，無需加額外光罩，不會受限於傳統eFuse不易轉廠的限制，可協助客戶大幅減少製造成本。秉持著與NeoBit IP相同的設計概念，在先進製程上的NeoFuse IP不僅提供友善的操作介面，降低IP使用上的難度與電路複雜度，同時具備高度靈活的使用彈性，使客戶在系統上及產品應用階段均能進行資料寫入的動作。無論是提供程式碼儲存(code storage)、加解密碼儲存(encryption code)、身份識別(Identification)或是電路調校(analog trimming)等，NeoFuse所提供的多樣化解決方案，完全符合客戶在晶片設計應用上的多元化需求。而針對相同編程內容且需大量出貨的產品應用，力旺電子亦延續了建置在NeoBit平台上的NeoROM方案，提供給客戶自NeoFuse轉成ROM的彈性空間。

力旺電子持續投入創新研發能量，積極佈局嵌入式非揮發性記憶體技術版圖，目前已有NeoBit、NeoFlash、NeoEE、NeoMTP與NeoFuse等涵蓋單次可程式與多次可程式之產品線，從成熟量產的製程到先進製程均具備最適合的解決方案，將能為客戶提供更完整且全方位的矽智財導入服務。迄今力旺電子已擁有國內外專利超過330件，內嵌力旺電子矽智財之量產晶圓片數已超過550萬片，是全球最被廣泛使用之嵌入式非揮發性記憶體技術之領導廠商。