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【新竹訊】嵌入式非揮發性記憶體(embedded non-volatile memory, eNVM)領導廠商力旺電子近期技術開發再傳捷報，其技術平台緊隨國際晶圓代工廠先進製程發展軌跡，單次可程式(one time programmable, OTP)記憶體技術NeoBit與多次可程式(multiple times programmable, MTP) 記憶體技術NeoFlash、NeoEE均有優異之進展，其中單次可程式記憶體技術已於一線晶圓代工廠65奈米製程平台通過可靠度驗證，進入量產階段;多次可程式記憶體技術則同步於65奈米製程平台進行驗證中，將可應用於對嵌入式儲存元件規格要求日益嚴苛之高階多媒體與數位消費性電子產品，如智慧型手機、平板電腦與數位電視機上盒等等，滿足市場對先進嵌入式非揮發記憶體的高效能要求。

力旺電子嵌入式非揮發性記憶體之主要功能為儲存參數設定與身分識別密碼，以近期熱門之數位電視機上盒與NFC相關應用為例，力旺電子之嵌入式EEPROM NeoEE即可作為協助儲存密碼、金額或身分識別資料使用，目前前項提及之相關產品以65奈米與40奈米製程為主力，而力旺電子相關技術亦同步開發中。近期65奈米之NeoEE進行驗證測試獲得98%以上之優異良率，預期2012年起即可對營收產生正面貢獻。

根據iSupply報告顯示，預估2010~2015年間，智慧型手機和多媒體平板電腦出貨量，將分別以28.5%和72.1%的年複合成長率攀升，看好未來高階多媒體與數位消費性電子發展潛力，力旺電子每年持續投入超過30%之營業費用於研發創新技術，發展先進嵌入式非揮發性記憶體矽智財，繼先前80奈米高壓製程之NeoBit OTP已進入量產，並對權利金收益有所挹注，65奈米之NeoBit OTP日前亦通過可靠度驗證，即將進入量產階段，而針對下一世代55奈米與更先進製程平台，力旺電子亦全力積極布局，目前已與數家國際級晶圓代工廠合作開發中，預計55奈米高電壓製程之NeoBit將可於2012年Q2通過驗證，進入試產階段。

力旺電子獨特開發之嵌入式非揮發性記憶體技術包含單次可程式OTP NeoBit與多次可程式MTP NeoFlash、NeoEE等矽智財，由於架構簡單，與邏輯製程完全相容，不論建構於現有製程，或嵌入使用於客戶端之產品，均可在不修改製程的前提下，直接進行設計。目前力旺電子嵌入式非揮發性記憶體技術已廣泛建置於0.5微米至0.11微米等各類型邏輯與衍生製程，加上近期於晶圓代工廠之先進製程布局，將可提供尖端設計客戶具備完善品質與高可靠度之全方位嵌入式非揮發性記憶體解決方案。目前力旺電子擁有超過250件專利，全球Fabless客戶數已突破310家，累計至2011年12月，內嵌力旺電子矽智財之量產八吋晶圓片數已超過340萬片，是全球最被廣泛使用之嵌入式非揮發性記憶體廠商。