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【新竹訊】嵌入式非揮發性記憶體(embedded non-volatile memory, eNVM)領導廠商力旺電子與提供卓越生產技術的晶圓製造服務公司宏力半導體共同宣佈，雙方透過共享資源設計平台，進一步擴大合作範圍，發展多元嵌入式非揮發性記憶體解決方案。力旺電子獨特開發之單次可程式OTP (NeoBit)，與多次可程式MTP (NeoFlash/NeoEE)等eNVM技術，將全面導入宏力半導體之製程平台，宏力半導體並將投入OTP與MTP IP之設計服務，以提供客戶全功能之嵌入式非揮發性記憶體解決方案，將可藉由低成本、高效能之優勢，嘉惠微控制器(MCU)與消費性電子客戶，共同開發全球市場。

宏力半導體與力旺電子自2005年起即於OTP製程平台展開合作，近期雙方成功推出之0.18微米3.3V/5V 低成本、高效能OTP製程平台已有數十項產品相繼投入量產。此次擴展合作範圍，除包括原有之OTP製程平台，更擴大導入至MTP領域，預計將能以更完整之嵌入式非揮發性記憶體製程平台，強化技術服務支援廣度，滿足更多不同客戶需求。

宏力半導體企業發展與戰略暨法務單位副總裁傅城博士表示：「結合力旺電子卓越之技術與服務支援能力，宏力半導體將能提供客戶極具競爭優勢之低成本嵌入式非揮發性記憶體製程平台，包括OTP與MTP技術，相信能為客戶進一步降低製造與研發成本，加速產品上市時間。展望未來，宏力半導體將持續發展高附加價值的差異化製程，協助客戶在微控制器與消費性電子市場中掌握致勝先機。」

力旺電子總經理沈士傑博士表示：「力旺電子非常榮幸能與宏力半導體展開更深入的合作，使力旺電子之單次可程式OTP (NeoBit)，與多次可程式MTP (NeoFlash/NeoEE)等eNVM技術，能夠全方位導入宏力半導體之各項製程平台，再加上宏力半導體在NVM IP設計服務工作的投入，為客戶帶來更具競爭性的嵌入式非揮發性記憶體解決方案，未來雙方也將持續緊密合作，以提供市場更具成本效益且性能卓越之嵌入式非揮發性記憶體平台。」

目前宏力半導體與力旺電子合作之0.18微米邏輯與高電壓OTP製程平台已完成建置，並進入量產階段多年；0.13微米OTP製程平台預計於2011年底通過可靠度驗證；0.18微米之MTP製程平台則預計於2012年Q1通過可靠度驗證，屆時將可提供更加豐富的嵌入式非揮發性記憶體矽智財，進而使應用產品端客戶進一步受惠。