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【新竹訊】嵌入式非揮發性記憶體矽智財領導廠商力旺電子宣佈，繼推出車規NeoBit OTP之後，力旺電子凝聚創新開發續航力，嵌入式快閃記憶體矽智財NeoFlash亦於技術上大幅躍進，應用範圍自消費性電子如觸控面板(Touch Panel)、微控制器(MCU)、無線射頻識別(RFID)等產品，進階至車規IC製程平台，產品通過完整溫度範圍之良率與電性特性測試，並能於高溫儲存環境測試(150℃/1000hrs)及在最高操作電壓1.1倍下高溫操作週期測試(125℃/1000hrs)達到零失效的要求，符合美國汽車電子協會的車用市場之產品規格驗證標準AEC-Q100 Grade 1，將可提供汽車產業客戶更卓越的產品穩定性與效能表現，滿足其對高效率低成本之嵌入式快閃記憶體的殷切需求。

隨著汽車電子化的程度日益普及，半導體在汽車上的應用也快速發展，而嵌入式快閃記憶體NeoFlash是提供先進車用系統晶片所需的重要技術，其多功能一體特色能減少系統產品所需的元件數，縮小產品體積，從而增加了線路設計空間。再者，使用NeoFlash可將外部訊號轉變成晶片之內部訊號，縮短傳輸距離，大幅增加訊號傳輸頻寬及速度，並讓原本消耗於各IC元件間之外部訊號傳遞電能大幅降低，進而達到省電、減低功耗的目的。相較於過去應用於汽車電子產品的傳統外掛式快閃記憶體，無論在面積、體積、開發時間、功耗等各方面，新一代車規NeoFlash嵌入式快閃記憶體均展現卓越的產品優勢。

NeoFlash除了上述特色與功能之外，還具有保密性佳、易於庫存管理，以及製程簡單、成本低廉的絕對優點。NeoFlash嵌入式快閃記憶體矽智財因經過封裝，不容易被盜拷，對於重要資訊的保存更有保障。NeoFlash嵌入晶片後，應用端廠商只需對晶片進行庫存管理，不須如傳統外掛式快閃記憶體進行額外之庫存管理，更不需擔心因庫存不足而延誤產品上市時間。而與一般嵌入式快閃記憶體相較，則因NeoFlash與邏輯製程完全相容，使用NeoFlash可將外加之光罩數，自一般8至9道大幅縮減至2至3道，大量降低製程複雜度與生產週期時間，尤其在產能緊縮的關鍵時刻，能替客戶爭取Time to market的高度優勢。

力旺電子總經理沈士傑表示：「力旺電子持續投入研發前瞻技術，致力於為顧客提供品質優越、效能高度可靠之嵌入式非揮發性記憶體矽智財解決方案，此次NeoFlash於車規市場取得重要進展，不但代表力旺電子之創新能力與競爭力與日精進，相信也能進一步嘉惠汽車產業客戶對高效能、高可靠性嵌入式快閃記憶體的各種應用需求。」

車規NeoFlash之先進技術甫推出即廣受歐美日地區整合元件廠(IDM)的關注，並於歐美客戶使用過程中，獲得客戶對其穩定度與可靠性的高度肯定。目前車規NeoFlash已於0.18微米CMOS邏輯製程通過驗證，而0.35微米、0.25微米與0.13微米NeoFlash則預計將於2011通過驗證導入量產。