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【新竹訊】力旺電子NeoBit OTP技術在各晶圓代工廠及各製程平台快速擴散，在普及度高居世界第一的同時，因應市場產品應用的需求，同步致力於MTP（Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory 多次可程式嵌入式非揮發性記憶體）之技術開發，能根據客戶對於容量（density），寫入次數（endurance）和導入成本低之各項需要，量身打造最適的解決方案。

隨著產品應用的演進，市場對於多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術之需求與日俱增。惟現有嵌入式非揮發性記憶體技術，包括Flash、EEPROM等，因有製程複雜、不相容於邏輯製程、導入時程長、以及6~10道額外光罩之高成本等限制，令廠商望之卻步，不易普及採用。力旺電子近年來致力於多次可程式嵌入式非揮發性記憶體之技術開發，包括NeoBit、NeoFlash、NeoEE等系列性技術與矽智財，為業界少見能夠於MTP多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術領域，提供全方位完整佈局之矽智財廠商。

力旺電子MTP技術提供之應用範圍相當廣泛，針對寫入次數小於10次之應用，採行多區塊的NeoBit IP，以NeoBit元件組成之多次寫入解決方案將是客戶最佳的選擇，由於架構於NeoBit技術之上，其製程普及度及大宗量產成熟度最高。而針對容量16Kbit以上，更高寫入次數之應用需求，則可採用NeoFlash技術。近年來力旺電子與美日整合元件廠以及各地晶圓代工廠等合作夥伴，進行NeoFlash之技術開發，已可於0.25微米與0.18微米CMOS邏輯製程及高壓製程上提供量產，並將於今年度內提供0.13um、0.11um與90nm等NeoFlash之平台。

力旺電子於2010年最新推出的NeoEE技術，則特別適用於中低容量之多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術需求，如一般系統參數之調整、LCD螢幕之參數設定、Vcom 校正IC、CMOS 影像感應IC之多次調校需要。由於NeoEE技術可與邏輯製程相容，並具有毋須外加任何光罩之優點，對於容量需求在16Kbit以下，高寫入次數之應用，可享有其製程簡單、以及成本面之高度優勢。目前力旺電子於NeoEE之技術開發，以具市場潛力之0.18微米製程為開端，已與歐洲系統晶片大廠於0.18微米製程進行合作，技術規格可達到10,000次之寫入次數。同時力旺電子並與晶圓代工夥伴合作，將於2010年下半年完成0.18微米及0.25微米之IP可靠度驗證，並積極與相關客戶展開進一步的合作。

不論NeoBit、NeoFlash或者是NeoEE等技術，均保有與邏輯製程高度相容之特性，製程簡單，易於延伸至各製程世代，由於無外加光罩的成本（NeoFlash至多加2-3道光罩），因此有效降低多次可程式嵌入式非揮發性記憶體的使用門檻，對市場具有重大且深遠的影響。