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【新竹訊】力旺電子今(26日)宣佈，0.13微米先進嵌入式可程式非揮發性記憶體技術在台積電進入量產，成功將邏輯製程及高壓製程之嵌入式非揮發性記憶體技術推進到更先進製程領域。經由客戶的優先採用，歐洲、美國、台灣、大陸等地區，均已有客戶穩定量產，產品線涵蓋小面板顯示器驅動晶片(Small-panel LCD Driver IC)，數位電視(Digital TV)，視訊轉換器(Set_Top Box)，導航系統(GPS)，影像控制晶片(PC Camera Controller)等消費性電子產品。

0.13微米先進製程量產之晶圓顆粒(gross die)可達0.18微米製程產量之1.5倍至2倍，目前小面板顯示器驅動晶片之量產，仍多採用0.18或0.16微米製程，基於產業技術之發展與市場需求之考量，晶圓代工廠近兩年已積極進行0.13um微米高壓製程之開發。針對市場對先進製程之需求，力旺電子在台積電完成0.13微米先進嵌入式可程式非揮發性記憶體技術之導入與量產，先前台積電發表之0.13微米高壓製程所使用之新穎Fuse OTP，即為力旺之OTP。力旺電子0.13微米OTP已於台積電0.13微米1.5伏特/6伏特/32伏特高壓製程平台成功完成建構，可提供高效能小面板顯示器驅動晶片量產應用，有效精進成本效益與生產效能，並大幅提昇客戶產品之競爭力。0.13微米NeoBit先進製程技術於高效能小面板顯示器驅動晶片之應用效益相當顯著，導入量產迄今即已超過千片以上晶片順利出貨。

力旺電子的NeoBit嵌入式非揮發性記憶體技術與其新穎的NeoBit Fuse線路設計，取代傳統熔線(fuse)元件，不修改製程條件，不需重複驗證，有效提供客戶單次寫入或多次寫入抹除之參數設定功能，能夠於最終產品模組封裝階段彈性調整顯示器驅動晶片色彩參數以及提升動態畫面之清晰度。隨著CMOS製程技術的演進，元件誤差容許度縮小，傳統嵌入非揮發性記憶體元件製程所衍生的製程參數變動與外加光罩製程，難以嵌入於先進CMOS製程中，而力旺電子開發之NeoBit 技術即使在0.13微米先進製程，仍完全相容於CMOS製程，其所展現的優異特性，包括穩定的產品良率、高度的可靠性、製程的便利性等，是客戶能夠成功利用此先進技術快速進入量產的關鍵因素。

繼0.13微米先進嵌入式可程式非揮發性記憶體技術進入量產，力旺電子將持續開發先進製程解決方案，目前90奈米邏輯製程之嵌入式非揮發性記憶體技術已於二大國際級晶圓代工廠完成功能驗證，正積極規劃導入量產，預計將可應用於高速邏輯產品。力旺電子並將致力於將核心技術推廣延伸至更多應用領域，提供高效率的客製化矽智財設計服務，以滿足產業以及客戶之需求。