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【新竹訊】繼NeoBit矽智財展現強大量產動能，力旺電子宣佈NeoFuse矽智財已跨越量產門檻，量產規模持續累積中。NeoFuse矽智財可廣為使用在 智慧型手機、行動裝置、穿戴式裝置以及物聯網、智慧家庭、醫療電子等熱門應用領域，並強化力旺電子在影像感測晶片(CMOS Image Sensors，CIS)、藍芽晶片(Bluetooth ICs)、Set-Top Box晶片與無線通訊晶片( Communication ICs)等領域之滲透與佈局，擴張力旺電子產品線之量產效益。

目前NeoFuse技術已建置在全球超過20項製程平台上，並順利協助客戶之CIS及顯示器驅動晶片(Display Driver ICs，DDI)應用產品進入規模量產階段，逐步升高對營收之貢獻。NeoFuse技術已佈局於0.11微米、65奈米、55奈米、40奈米與28奈米等 製程世代，並於55奈米高壓及低功耗、40奈米低功耗、28奈米高介電常數金屬閘極(High-K Metal-Gate，HKMG)及CIS製程平台完成驗證。各製程世代的NeoFuse技術正快速導入於多家國際級晶圓代工廠，並且已有多家客戶採用 NeoFuse矽智財於影像感測晶片、顯示器驅動晶片、Set-Top Box晶片等產品設計定案(tape-out)當中，量產效益值得期待。在NeoFuse技術各製程世代陸續增添量產動能之時，力旺電子更持續展開 FinFET等製程技術之開發計畫，以積極掌握產業之發展趨勢。

力旺電子之嵌入式非揮發性記憶體矽智財解決方案，具備完整的產品線與製程平台佈局，能夠滿足各種應用領域之需求。客戶量產晶圓片數多年來連續呈現2位數之成 長，繼2013年初達到五百萬片後，其多元產品線矽智財之累計客戶量產晶圓持續呈現快速成長之趨勢，2013年單一年度更打破歷年記錄，以超過33%的成 長率，累計已突破八百萬片，再創量產里程碑。該成長主要受惠於電源管理晶片(Power Management ICs，PMIC)、顯示器驅動晶片(Display Driver ICs，DDI)、微控制器(Microcontrollers，MCU)、感測晶片(MEMS Controllers，MEMS)、觸控晶片(Touch Panel Controllers，TPC)、射頻晶片(Radio Frequency ICs，RFIC)等應用領域之發展。

力旺電子之嵌入式非揮發性記憶體技術佈局，涵蓋0.5微米至28奈米之邏輯、高壓、矽鍺、無線射頻、及混合信號等製程平台。力旺電子開發之矽智財已成功導入 全球超過2400項新產品設計授權案(design license)，廣泛應用於智慧型手機、行動裝置等主流消費性電子產品之中，從成熟量產至先進製程均具備最適解決方案之條件，是晶圓代工廠及應用端客戶 對於嵌入式非揮發性記憶體矽智財之最佳選擇。