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【新竹訊】嵌入式非揮發性記憶體領導廠商力旺電子宣佈，與世界先進積體電路公司合作之0.16微米高壓製程嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財，規格 已由原先之消費性電子應用範圍強化至工業等級，大幅提升資料在嚴苛的工業環境留存能力，可支援對高溫操作環境有嚴格要求之客戶。此成果為NeoFlash 繼應用於觸控晶片與電池容量偵測晶片後之重要製程突破，將可使產品應用範圍自消費性電子擴大至高階工業規格領域，如工業機具、製造設備與醫療器材等。目前 此解決方案已成功通過可靠度驗證，即日起可供該公司客戶量產使用。

力旺電子所提供之0.16微米高壓製程嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財規格增強至125℃/10年，讀取速度高達40ns，更適用於對環境要求與性 能表現更為嚴苛之工業產品，如ARM Cortex-M0微控制器之需求，可協助客戶自消費性電子市場跨越至工業規格範疇，進階擴展應用產品版圖。力旺電子之嵌入式快閃記憶體NeoFlash 矽智財因與邏輯製程完全相容，與高壓製程整合性高，僅需外加2道光罩，即可於高壓製程平台實現儲存功能，與其它嵌入式快閃記憶體至少需外加7至9道光罩相 比，可大幅減輕晶圓製造成本。另外，若客戶在成本和功能的平衡上需要更多元化的解決方案，亦可選搭力旺電子特有之混合式嵌入式非揮發性記憶體解決方案，突 顯產品差異化優勢，推出定位更精準的產品。

力旺電子總經理沈士傑表示：“力旺電子與世界先進成功完成0.16微米NeoFlash之產品驗證為雙方合作的重要里程碑，透過雙方積極建構單次可程式與多 次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術佈局，將可彈性因應與時俱變的需求，提供最適中的eNVM解決方案，並進一步協助客戶拓展產品應用領域，創造策略性市 場。未來，力旺電子將與世界先進保持密切合作，以滿足客戶對專業化嵌入式非揮發性記憶體技術平台之期待。”

繼嵌入式快閃記憶體NeoFlash技術提升至工業規格應用領域，進入成熟量產後，力旺電子與世界先進期望持續利用雙方優勢，以卓越的技術與支援服務，共同打造功能性更高、整合性更佳的利基型製程平台，為客戶創造戰略化之商機。