里程碑
技術里程碑
2023
- 12 月 力旺電子榮獲ISO26262流程認證
- 04 月 力旺安全強化型OTP進攻台積進階製程，已完成N5製程驗證並續攻車用解決方案
- 03 月 力旺電子和聯華電子合作22奈米RRAM可靠度驗證 提供AIoT和行動通訊市場的低功耗記憶體解決方案
2022
- 11 月 力旺與瑞薩合作於台積130nm BCD+製程開發全5V OTP搶攻汽車應用
- 06 月 力旺和熵碼宣布全球首個安全嵌入式快閃記憶體IP通過聯電製程的矽驗證
- 02 月 力旺電子聯手英特爾晶圓代工服務推廣高階晶片安全矽智財
2021
- 11 月 力旺電子的可變電阻式記憶體（ReRAM）矽智財成功通過聯電40奈米認證
- 09 月 力旺電子安全強化型OTP矽智財於台積電N6製程完成可靠度驗證
- 03 月 內嵌力旺矽智財之量產晶圓累積出貨突破3,500萬片
2020
- 08 月 NeoFuse技術於三星28nm FD-SOI製程完成可靠度驗證並符合車用規格
- 08 月 NeoFuse技術於台積5奈米與6奈米製程驗證成功
- 08 月 力旺推出以NeoPUF為核心技術之嵌入式硬體安全解決方案 - PUFrt與PUFiot
- 03 月 力旺NeoMTP矽智財於台積公司0.18 微米第三代BCD製程驗證成功
- 01 月 力旺NeoFuse矽智財成功導入聯電28奈米 HV製程 搶攻OLED市場
2019
- 12 月 力旺電子與ARM合作共創物聯網晶片安全生態系統
- 09 月 力旺電子矽智財獲ISO 26262與IEC61508車用及工業功能安全產品雙認證
- 06 月 力旺電子矽智財NeoFuse成功導入華邦25奈米DRAM製程平台
2018
- 10 月 NeoFuse 於全空乏絕緣上覆矽(fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)製程平台完成驗證
- 08 月 力旺二代MTP布局BCD製程平台 專供電源管理應用
- 04 月 內嵌力旺矽智財之量產晶圓累積出貨突破2,000萬片
2017
- 10 月 內嵌力旺矽智財之量產晶圓累積出貨突破1,800萬片
- 07 月 力旺晶片指紋IP已於聯電高階製程平台完成驗證
- 05 月 力旺最新安全IP為客戶創造強大競爭優勢 強攻物聯網市場
- 04 月 內嵌力旺電子NeoEE矽智財之量產晶圓累積出貨突破十萬片
- 03 月 力旺電子跨足OLED應用領域 NeoFuse矽智財高壓製程全都佈
- 02 月 力旺電子NeoFuse矽智財率先於台積公司16奈米FFC製程完成可靠度驗證
2016
- 11 月 力旺電子NeoFuse矽智財於台積公司10奈米FinFET製程驗證成功
- 08 月 力旺電子發表嶄新EcoBit技術 卡位RFID與NFC應用商機
- 07 月 力旺電子NeoEE解決方案加速推動指紋辨識之模組整合
- 07 月 力旺電子發表0.13微米BCD製程多元NVM解決方案 卡位PMIC應用商機
- 05 月 力旺電子NeoFuse矽智財領先業界 推進40奈米嵌入式高壓製程
- 04 月 力旺電子瞄準物聯網應用 推出進階版NeoFuse矽智財
- 03 月 力旺電子創新推出安全加密解決方案
- 03 月 力旺電子引領業界 率先推出16奈米精簡型FinFET製程OTP矽智財
- 03 月 力旺電子NeoEE 矽智財於格羅方德(GLOBALFOUNDRIES) 0.18微米綠製程通過可靠性驗證
- 01 月 力旺電子NeoFuse技術推進車載面板驅動IC應用領域
2015
- 09 月 力旺電子記憶體技術緊跟摩爾定律 領先推出16奈米強效版FinFET NeoFuse OTP矽智財
- 08 月 力旺電子推出整合OTP與MTP之Combo及Hybrid矽智財解決方案
- 08 月 力旺電子NeoFuse矽智財於聯華電子28奈米低功耗製程通過可靠性驗證
- 08 月 力旺電子NeoFuse矽智財於台積公司16奈米FinFET-Plus製程通過功能驗證
- 08 月 力旺電子NeoMTP矽智財於聯華電子80奈米高壓製程通過功能驗證
- 07 月 力旺電子Logic NVM矽智財鎖定相機模組應用
- 07 月 力旺電子NeoFuse矽智財於格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)55奈米高壓製程通過功能驗證
- 07 月 力旺電子NeoFuse矽智財於力晶半導體63奈米DRAM製程通過功能驗證
- 06 月 力旺電子NeoEE矽智財於格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)0.18微米 3.3V MCU製程通過功能驗證
- 06 月 力旺電子為物聯網應用推出超低功耗MTP矽智財
- 06 月 力旺電子NeoFuse矽智財於台積公司0.13微米BCD製程通過功能驗證
- 06 月 力旺電子NeoFuse矽智財於聯華電子55奈米CMOS-Image Sensor製程通過功能驗證
- 05 月 力旺電子NeoFuse技術於16奈米FinFET成功完成驗證
- 05 月 力旺電子NeoFuse矽智財於世界先進0.15微米1.8V/13.5V製程通過功能驗證
- 03 月 晶心科技與力旺電子共同發表晶片安全防護解決方案，搶攻物聯網安全應用商機
- 03 月 力旺電子NeoFuse矽智財於台積公司40奈米低功耗製程通過可靠性驗證
- 02 月 力旺電子發表指紋辨識解決方案，卡位矽智財智慧商機
- 02 月 力旺電子NeoFuse矽智財於中芯國際40奈米低功耗製程通過可靠性驗證
- 02 月 力旺電子NeoFuse矽智財於格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)28奈米低功耗製程通過可靠性驗證
- 01 月 力旺電子NeoFuse矽智財於聯華電子55奈米高壓製程通過可靠性驗證
- 01 月 力旺電子NeoFuse矽智財於中芯國際28奈米低功耗製程通過功能驗證
- 01 月 力旺電子NeoEE矽智財於宏力半導體0.13微米1.5V/3.3V低功耗製程通過功能驗證
2014
- 12 月 力旺電子NeoFuse矽智財於台積公司55奈米低功耗製程通過可靠性驗證
- 12 月 力旺電子NeoFuse矽智財於台積公司55奈米高壓製程通過可靠性驗證
- 11 月 力旺電子引領IP業界，推出客製化Hybrid MTP矽智財
- 11 月 力旺電子NeoFuse矽智財於台積公司28奈米低功耗製程通過可靠性驗證
- 10 月 力旺電子NeoEE進軍車載電子應用
- 09 月 力旺電子NeoFuse矽智財於台積公司28奈米2.5V HKMG製程通過可靠性驗證
- 09 月 力旺電子NeoMTP矽智財於宏力半導體0.18微米邏輯製程通過功能驗證
- 09 月 力旺電子NeoMTP矽智財於聯華電子0.11微米邏輯製程通過可靠性驗證
- 08 月 力旺電子MCU綠製程平台再進化，MTP解決方案到位
- 07 月 力旺電子NeoEE矽智財搶攻無線通訊商機
- 07 月 力旺電子NeoFuse矽智財增添量產動能
- 06 月 力旺電子NeoFuse矽智財於中芯國際55奈米低功耗製程通過可靠性驗證
- 06 月 力旺電子NeoEE矽智財於宏力半導體0.18微米3.3V綠製程通過功能驗證
- 04 月 力旺電子矽智財搶攻醫療電子應用商機
- 04 月 力旺電子NeoEE矽智財於聯華電子0.18微米BCD製程通過可靠性驗證
- 03 月 力旺電子NeoFuse矽智財通過國際級CA安全認證，提供多元先進製程高階安全解決方案
- 02 月 力旺電子擴大NeoFlash技術於工規領域之應用
- 02 月 力旺電子NeoBit矽智財於55奈米高壓先進製程佈局有成，提供全方位Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片解決方案
- 02 月 力旺電子NeoFuse矽智財於聯華電子40奈米低功耗製程通過可靠性驗證
- 02 月 力旺電子NeoEE矽智財於聯華電子0.3微米BCD製程通過可靠性驗證
- 01 月 力旺電子NeoEE矽智財於宏力半導體0.11微米1.5/1.3V低功耗製程通過可靠性驗證
- 01 月 力旺電子NeoMTP矽智財於聯華電子0.11微米邏輯製程通過功能驗證
2013
- 12 月 力旺電子與韓商美格納半導體公司(MagnaChip)合作提供0.18微米 EEPROM矽智財
- 12 月 力旺電子與中芯國際聯手佈局技術發展
- 10 月 力旺電子NeoEE矽智財於聯華電子0.18微米BCD製程通過功能驗證
- 10 月 力旺電子NeoEE矽智財於聯華電子0.3微米BCD製程通過功能驗證
- 10 月 力旺電子NeoEE矽智財於宏力半導體0.153微米邏輯製程通過功能驗證
- 09 月 力旺電子NeoMTP技術，深入觸控面板領域，廣泛佈局觸控面板MCU及TDDI之應用
- 08 月 力旺電子於先進55奈米高壓製程提供成熟Full-HD SDDI解決方案
- 08 月 力旺電子NeoEE技術打入BCD製程平台，擴充P-Gamma矽智財產品線並加速電源管理晶片之系統整合
- 08 月 力旺電子NeoEE矽智財於中芯國際0.18微米邏輯製程通過可靠性驗證
- 06 月 力旺電子與聯華電子擴大技術合作，佈建多元解決方案於28奈米先進製程
- 06 月 力旺電子NeoEE矽智財於台積公司0.16微米混合訊號製程通過可靠性驗證
- 05 月 NeoFuse—力旺電子之全新反熔絲架構嵌入式非揮發性記憶體技術
- 03 月 力旺電子嵌入式非揮發性記憶體矽智財累計量產晶圓片數突破五百萬片
- 03 月 力旺電子NeoEE矽智財於台積公司0.16微米混合訊號製程通過功能驗證
- 01 月 力旺電子NeoEE矽智財於2.4GHz RF產品應用完成驗證
2012
- 12 月 力旺電子及韓商美格納(MagnaChip)合作開發0.18微米EEPROM矽智財
- 12 月 力旺電子NeoEE矽智財於中芯國際0.18微米邏輯製程通過功能驗證
- 11 月 力旺電子NeoFlash 於0.11微米邏輯製程完成驗證並進入量產，於觸控面板應用展現絕佳特性
- 09 月 力旺電子發表嶄新NeoMTP技術
- 07 月 力旺電子65奈米嵌入式MTP矽智財NeoEE通過驗證
- 05 月 力旺NeoBit矽智財將於MEMS應用扮演要角
- 03 月 力旺電子之綠製程矽智財產品線更趨完備，推出多元化1.2V與5V OTP解決方案
- 03 月 力旺與華力微電子共同佈局高壓先進製程平台
2011
- 12 月 力旺電子掌握技術脈動，領先佈局先進製程
- 12 月 NeoBit 單次可程式記憶體技術已於一線晶圓代工廠65奈米製程平台通過可靠度驗證，進入量產階段
- 11 月 力旺電子成功跨入裸視3D新視界，NeoBit矽智財強化行動裝置顯示技術之發展
- 10 月 力旺電子與宏力半導體擴大合作範圍，發展多元解決方案與先進製程
- 07 月 力旺於台積公司80奈米高電壓製程提供嵌入式非揮發性記憶體矽智財
- 06 月 力旺電子NeoBit OTP於80奈米12吋晶圓廠驗證成功
- 04 月 力旺電子NeoEE已獲驗證，搶進無線通訊NFC應用領域
- 03 月 力旺電子應用於MCU之綠能高容量OTP解決方案已於宏力半導體量產
- 03 月 搶搭觸控與節能熱潮，NeoFlash之使用將持續成長
2010
- 12 月 力旺NeoFlash提供先進可靠的車規嵌入式快閃記憶體解決方案
- 07 月 力旺發表嶄新0.18微米綠能高容量OTP解決方案
- 07 月 力旺NeoBit技術率先導入於車規IC製程平台
- 06 月 0.18 微米NeoEE非揮發性記憶體技術，已通過10萬次的重複讀寫測試
- 05 月 滿足客戶多重需求，力旺電子提供完整之多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術平台
- 03 月 成功開發0.18微米NeoEE非揮發性記憶體技術，提供內嵌式MTP/EEPROM IP使用
- 03 月 力旺電子與韓商美格納(Magnachip)合作建構0.11微米高壓先進NVM製程平台
2009
- 11 月 成功開發高容量記憶體於高壓製程上，滿足LCD驅動器與觸控面板應用整合於單晶片時，對大容量記憶體的迫切需求
- 09 月 力旺領先推出運用於電源管理IC之工規嵌入式非揮發性記憶體技術
- 07 月 力旺NeoBit OTP量產達百萬片，推出65奈米矽智財解決方案
- 05 月 力旺創新推出新一代OTP低成本量產解決方案-NeoROM
- 01 月 力旺NeoFlash嵌入式快閃記憶體技術於0.13微米製程上提供卓越的低電壓抹寫效能
2008
- 12 月 NeoBit 嵌入式非揮發性記憶體技術達到量產90萬片
- 12 月 力旺NeoFlash嵌入式快閃記憶體技術於0.18微米ULL高壓製程通過可靠性驗證
- 11 月 應用於LCD 驅動器之0.13微米高壓製程NeoBit進入量產
- 05 月 力旺授權技術予富士通微電子(Fujitsu Microelectronics)
- 02 月 NeoBit 嵌入式非揮發性記憶體技術協助客戶量產，於八吋晶圓出貨達40萬片
2007
- 11 月 應用於LCD驅動器之0.13微米高壓製程NeoBit矽智財完成驗證
- 10 月 NeoBit 嵌入式非揮發性記憶體技術協助客戶量產，於八吋晶圓出貨達30萬片
- 09 月 與韓商美格納半導體公司(Magnachip)簽訂技術授權合約
- 07 月 與日本恩益禧電子公司(NECEL)簽訂技術授權合約
- 07 月 客戶採用0.13微米NeoBit 矽智財進入量產
- 03 月 NeoBit 嵌入式非揮發性記憶體技術協助客戶進入量產達15萬片
2006
- 10 月 NeoBit 嵌入式非揮發性記憶體技術協助客戶進入量產達10萬片
- 07 月 成功推出高電壓製程OTP提昇晶片良率與性能
- 04 月 先進嵌入式快閃記憶體技術NeoFlash完成驗證
- 04 月 與馬來西亞矽佳(Silterra)簽訂技術授權合約
- 03 月 與日本新日本無線公司(NJRC)簽訂技術授權合約
- 03 月 與日本沖電氣(OKI)簽訂技術授權合約
2005
- 10 月 與日本東芝公司(Toshiba)簽訂技術授權合約
- 06 月 NeoBit 嵌入式非揮發性記憶體技術協助客戶進入量產達1萬片
- 04 月 與日本理光公司(Ricoh)簽訂技術授權合約
- 04 月 與力晶半導體簽訂技術授權合約
- 03 月 成功開發0.13微米先進嵌入式可程式非揮發性記憶體技術
- 01 月 成功開發NeoBit語音IC記憶體解決方案
- 01 月 與世界先進簽訂技術授權合約
2004
- 10 月 NeoBit 於0.11微米DRAM製程完成驗證
- 10 月 力旺0.18微米NeoBit OTP/MTP 提供LCD驅動IC創新解決方案
- 08 月 成功開發NeoBit可程式RFID解決方案
- 06 月 成功開發應用於LCD 驅動器之NeoBit矽智財
- 01 月 與新加坡特許半導體(Chartered Semiconductor)簽訂技術共同開發合約
2003
- 10 月 成功開發NeoBit Fuse非揮發性可程式邏輯元件
- 09 月 與台積公司簽訂技術授權合約
- 04 月 與日本瑞薩科技(Renesas Technology)簽訂技術授權合約
- 04 月 成功開發應用於MCU之NeoBit矽智財
2002
- 11 月 與新加坡特許半導體(Chartered Semiconductor)簽訂技術授權合約
- 04 月 與日本三菱電機(Mitsubishi)簽訂技術授權合約